昆山二极管-ASEMI大芯片-二极管M7

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要想了解MUR2060CT与MUR2060CTR有何不同，二极管S1MBF，首先要从二极管的原理定义开始说起。

二极管与快恢复二极管内部结构原理

二极管作为较常用的整流元器件，其内部结构原理基础就是只允许单方向电流通过并且进行整流，二极管RL207，将交流电变为直流电。而在快恢复二极管MUR2060CT和MUR2060CTR封装内部含有二个二极管，其桥式整流结构也是由这两个二极管组成的。

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肖特基二极管

      优点：

              1.   正向压降小 ：              通常0.4V左右

              2.   反向恢复时间较短:        可达5纳秒

              3.  大的正向电流:                1A---300A之间

     缺点：

             1.反向工作电压VR低:          通常200V以下

             2.漏电流稍大些       :            仅有10mA

    例1：B82-400

           1.反向工作电压VRRM:40V

           2.正向压降VF:0.55V(IF=2.0A)

           3.漏电流IR=5mA(VRRM=40V)

          4.整流电流IF=5A

          5.浪涌电流IFSM=100A(T=10ms)

例2：1N5817，1N5818，1N5819

          1.反向工作电压VRRM(1N5817，1N5818，1N5819 ):20V，30V，40V

           2.正向压降VF:0.6V(IF=1.0A)

           3.漏电流IR=0.1mA(VRRM=40V)

          4.整流电流IF=1A

          5.浪涌电流IFSM=25A(T=10ms)

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了解了肖特基二极管的基本原理，昆山二极管，那你知道肖特基势垒二极管的内部结构是怎样的吗？接下来就由ASEMI专业技术工程师为您解析这一问题。

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，二极管M7，在上面形成用shen作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高**倍。