KMB110F、强元芯电子、KMB110F贴片高频桥堆

KMB110F 外形尺寸参数  【脚间距Foot spacing】： 2.5mm【本体长度Length】： 4.7mm【本体高度height】：  1.5mm【本体厚度thickness】：0.6mm【本体宽度width】：  4.0mm【脚厚度Foot thckness】：0.25mm；采用中国台湾健鼎的一体化测试设备，KMB110F进口中国台湾桥堆，减少人工操作环节，1A 100V贴片肖特基桥堆，正向压降Vf由0.8V加严到0.51V即单颗管芯VF控制在0.38V以内；生产的产品均符合欧盟REACH法规

ASEMI新推出的**薄迷你整流桥KMB10F，KMB110F贴片高频桥堆，应行业潮流市场研究需求，KMB110F，研制新型1A 100V肖特基芯片、贴片桥堆，新款上市，*市场!!采用封装：MBF-4 (SOP-4)特性：肖特基芯片、贴片桥堆★电性参数：1A 100V★芯片材质：GPP★正向电流：1A★芯片个数：4★正向电压(VF)：0.85V★芯片尺寸：50MIL★浪涌电流：30A★漏电流(Ir)：10uA★工作温度：-40~+150℃★恢复时间(Trr)：5ns